The phase diagram of the quasibinary system Ga2Te3/Ga2Se3
The quasibinary system Ga2V(Se3/Te(3-3l)) that forms at high temperatures a continuous range of solid solutions shows the special property that the lattice constants can be changed continuously maintaining a constant high vacancy density. In order to know in which temperature region this can be achi...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Journal of alloys and compounds 2004-11, Vol.381 (1-2), p.124-129 |
---|---|
Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!