Sputtered depth scales of multi-layered samples with in situ laser interferometry: arsenic diffusion in Si/SiGe layers

Diffused arsenic profiles in multi-layer Si–SiGe structures are used to characterize an in situ depth measurement system. The laser interferometer method shows problems with the depth scale both at the sample surface and interfaces for these layered materials, and does not improve the depth scale ac...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied surface science 2004-06, Vol.231, p.762-767
Hauptverfasser:	Ronsheim, P.A., Loesing, R., Madan, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Arsenic in SiGe Depth profile Depth scale calibration
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!