Micromagnetic simulations of magnetoresistive behavior of sub-micrometer spin-valve MRAM devices

The effects of device shape and size on the giant magnetoresistive (MR) response of NiFe/sub 7.5 nm//Co/sub 0.6 nm//Cu/sub 3 nm//Co/sub 0.6 nm//NiFe/sub 7.5 nm//FeMn spin-valve magnetoresistive random access memory (MRAM) stripes are studied by micromagnetic simulation. Samples having aspect ratios...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on magnetics 1997-09, Vol.33 (5), p.3298-3300
Hauptverfasser:	Oti, J.O., Russek, S.E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Couplings Giant magnetoresistance Magnetostatics Micromagnetics Random access memory Shape
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