Micromagnetic principles in pseudo spin valve memory element design

Micromagnetic modeling of submicron size pseudo spin valve memory elements is presented. The storage mechanism of the memory system is proposed. For this mechanism, the switching field of the hard layer and the back switching field of the soft layer need to be well separated to ensure non-destructiv...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on magnetics 1997-09, Vol.33 (5), p.3286-3288
Hauptverfasser:	Zheng, Youfeng, Zhu, Jian-Gang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Anisotropic magnetoresistance Degradation Micromagnetics Spin valves
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