Aluminum-Silicon Schottky barriers and ohmic contacts in integrated circuits
Experimental observations (electrical characteristics and in depth Auger analysis) have been made of the interface behavior in aluminum-silicon contacts. The barrier heights of these contacts (φ bn for n-type, φ bp for p-type silicon) are sensitive to heat treatments (HT) that are a part of normal i...
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| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 1976-06, Vol.23 (6), p.538-544 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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