Hi-MNOS II Technology for a 64-kbit Byte-Erasable 5-V-Only EEPROM

Improved high-performance MNOS (HiMNOS II) technology has been developed for application to a byte-erasable 5-V only 64-kbit EEPROM. A minimum feature size of 2 /spl mu/m and scaling theory implementation for the MNOS device have led to the realization of a small cell size of 180/spl mu/m2, a low pr...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 1985-02, Vol.20 (1), p.144-151
Hauptverfasser: Yatsuda, Y., Nabetani, S., Uchida, K., Minami, S., Terasawa, M., Hagiwara, T., Katto, H., Yasui, T.
Format: Artikel
Sprache:eng
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