Hi-MNOS II Technology for a 64-kbit Byte-Erasable 5-V-Only EEPROM
Improved high-performance MNOS (HiMNOS II) technology has been developed for application to a byte-erasable 5-V only 64-kbit EEPROM. A minimum feature size of 2 /spl mu/m and scaling theory implementation for the MNOS device have led to the realization of a small cell size of 180/spl mu/m2, a low pr...
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Veröffentlicht in: | IEEE journal of solid-state circuits 1985-02, Vol.20 (1), p.144-151 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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