Design and evaluation of ion-implanted CMOS structures

An IC chip intended for the integrated signal readout of PbS-Si heterojunction detectors has been designed using a p-well/ n-substrate CMOS structure, The chip contains integrated and discrete n-MOSFET readout circuits as well as test structures. The chip fabrication used ion implantation for all do...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1980-03, Vol.27 (3), p.578-583
Hauptverfasser:	Motamedi, M.E., Ka-Yee Tam, Steckl, A.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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