A 220-mm(2), four-and eight-bank, 256-Mb SDRAM withsingle-sided stitched WL architecture

A 220-mm(2), 256-Mb SDRAM has been fabricated in fully planarized 0.22-mum CMOS technology with buried strap trench cell. The single-sided stitched word-line (WL) architecture employs asymmetric block activation and shared row decoders to realize 86.7% cell/chip-length efficiency (57.3% cell/chip ef...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 1998-11, Vol.33 (11), p.1711-1719
Hauptverfasser:	Kirihata, T, Gall, M, Hosokawa, K, Dortu, J-M, Wong, Hing, Pfefferi, P, Ji, B L, Weinfurtner, O, DeBrosse, J K, Terletzki, H, Selz, M, Ellis, W, Wordeman, M R, Kiehl, O
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!