Red InGaN nanowire LED with bulk active region directly grown on p-Si (111)

A red nanowire LED with an InGaN bulk active region, directly grown on a p-Si (111) substrate, is demonstrated. The LED exhibits relatively good wavelength stability upon increasing injection current and narrowing of the linewidth without quantum confined Stark effect. Efficiency droop sets in at re...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2023-05, Vol.31 (10), p.15772-15778
Hauptverfasser:	Pan, Xingchen, Song, Jiaxun, Hong, Hao, Luo, Mingrui, Nötzel, Richard
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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