Fabrication of direct Z-scheme Cu2O@V-CN (octa) heterojunction with exposed (111) lattice planes and nitrogen-rich vacancies for rapid sterilization

[Display omitted] •Cu2O@V-CN (Octa) was elaborately obtained by in-situ electrostatic self-wrapping way.•MD calculation revealed the reduced π-π interaction of V-CN.•(111) lattice planes and nitrogen vacancies co-oriented the direct Z-scheme mechanism.•Cu2O@V-CN (Octa) can reduce Cu2O photocorrosion...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of colloid and interface science 2023-09, Vol.645, p.251-265
Hauptverfasser: Sun, Lifang, Li, Wen, Ma, Chengcheng, Lv, Gaojian, Feng, Huimeng, Pu, Yanan, Sun, Tianxiang, Chen, Shougang
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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