Modeling the electrical characteristics of Schottky contacts in low-dimensional heterostructure devices

This paper deals with the modeling of the electronic characteristics of semiconductor devices based on Schottky contacts in low-dimensional systems. For the capacitance-voltage characteristics, a quasi-two-dimensional quantum mechanical model is developed and validated. For the current-voltage chara...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2005-02, Vol.52 (2), p.170-175
Hauptverfasser: Ragi, R., Romero, M.A., Nabet, B.
Format: Artikel
Sprache:eng
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