Low-power InP-HEMT switch ICs integrating miniaturized 2x2 switches for 10-Gb/s systems

This paper presents a wideband cold-FET switch with virtually zero power dissipation. The use of InP HEMTs with a low R/sub on/.C/sub off/ product enables us to configure a DC-to-over-10-GHz single-pole double-throw (SPDT) switch without using a shunt FET. The series-FET configuration offers a logic...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of solid-state circuits 2006-02, Vol.41 (2), p.452-460
Hauptverfasser:	Kamitsuna, H, Yamane, Y, Tokumitsu, M, Sugahara, H, Muraguchi, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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