α-Fe2O3-based artificial synaptic RRAM device for pattern recognition using artificial neural networks

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2023-06, Vol.34 (26)
Hauptverfasser:	Jetty, Prabana, Mohanan, Kannan Udaya, Jammalamadaka, S Narayana
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	artificial neural networks depression memristor device potentiation RRAM spike timedependent plasticity
Online-Zugang:	Volltext
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