Study of Sb adsorption on the Si(0 0 1)–In(4 × 3) surface

The process of Sb adsorption onto Si(0 0 1)–In(4×3) surface phase has been studied using scanning tunneling microscopy (STM), reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and Auger electron spectroscopy (AES) techniques. Above 400 °C, Sb tends to destroy the initial In-induced phase and termi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied surface science 2003-06, Vol.216 (1), p.35-40
Hauptverfasser:	Gruznev, D, Furukawa, Y, Mori, M, Tambo, T, Lifshits, V.G, Tatsuyama, C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Partial decomposition Sb adsorption Si–In(4 × 3) STM
Online-Zugang:	Volltext
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