Process optimization and integration of trimethylsilane-deposited a-SiC:H and a-SiCO:H Dielectric Thin Films for Damascene Processing

The semiconductor grade organosilicon gas trimethylsilane (Dow Corning Z3MS) can be used to deposit unique amorphous hydrogenated silicon carbide (*a-SiC:H)-based alloy films that exhibit desirable properties such as chemical resistance, low stress, low permittivity, and low leakage. These film char...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2003-07, Vol.150 (7), p.G404-G411
Hauptverfasser:	Gray, W D, Loboda, M J, Bremmer, J N, Struyf, H, Lepage, M, Van Hove, M, Donaton, R A, Sleeckx, E, Stucchi, M, Lanckmans, F, Gao, T, Boullart, W, Coenegrachts, B, Maenhoudt, M, Vanhaelemeersch, S, Meynen, H, Maex, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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