A batch process to deposit amorphous metallic Mo-Si-N films

A process for depositing amorphous electrically conducting Mo-Si-N films in a batch-type reactive sputtering system has been developed. Each elemental constituent in the film is individually adjustable: molybdenum and silicon through the electrical power applied to the separate targets, and nitrogen...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of materials science. Materials in electronics 2003-05, Vol.10 (5/6/7), p.427-430.
Hauptverfasser:	Kattelus, H, Heikkinen, H, Haara, A, Ylonen, M, Tolkki, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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