Use of a capacitance voltage technique to study copper drift diffusion in (porous) inorganic low-k materials

Cu super(+) drift diffusion in two inorganic low-k materials is evaluated. The diffusion is investigated by measuring shifts in the flatband voltage of capacitance/voltage measurements on Cu gate capacitors after bias temperature stressing. The Cu super(+) drift rate in SiO sub(x)C sub(y) (2.7 less...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2002-01, Vol.60 (1-2), p.125-132
Hauptverfasser:	Lanckmans, F, Maex, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!