NOVEL Pb(Ti, Zr)O3(PZT) CRYSTALLIZATION TECHNIQUE USING FLASH LAMP FOR FERROELECTRIC RAM (FERAM) EMBEDDED LSIs AND ONE TRANSISTOR TYPE FERAM DEVICES

A novel method of ferroelectric capacitor formation for Ferroelectric random access memory (FeRAM) embedded LSIs and one-transistor-type FeRAMs has been developed. Amorphous Pb(Ti, Zr)O3 (PZT) films were transformed to the perovskite phase by a flash lamp technique with a crystallization time of 1.2...

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Veröffentlicht in:	Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 41, no. 4B, pp. 2630-2634. 2002 Part 1. Vol. 41, no. 4B, pp. 2630-2634. 2002, 2002-04, Vol.41 (4B), p.2630-2634
Hauptverfasser:	Yamakawa, K, Imai, K, Arisumi, O, Arikado, T, Yoshioka, M, Owada, T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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