The effects of plasma treatment for low dielectric constant hydrogen silsesquioxane (HSQ)
Low density materials, such as hydrogen silsesquioxane (HSQ), can offer lower dielectric constants. With HSQ, a low value of K can be achieved if the density of Si-H bonding is maintained at a high level and the formation of -OH bonds and absorption or creation of water in the film is minimized. In...
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Veröffentlicht in: | Thin solid films 1998-11, Vol.332 (1-2), p.345-350 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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