Analysis of Transport Parameters in an Interacting Two‐Band Model with Application to p+‐GaAs
We present a comprehensive derivation of the transport of holes involving an interacting two‐valence‐band system in terms of a generalized relaxation time approach. We solve a pair of semiclassical Boltzmann equations in a general way first, and then employ the conventional relaxation time concept t...
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| Veröffentlicht in: | ETRI journal 1995-10, Vol.17 (3), p.17-43, Article 17 |
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| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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