A new approach to the cap layer thinning of GaAs based heterostructures with near surface quantum wells

Low energy ion beam etching (IBE) at oblique angle at liquid nitrogen temperature has been applied for thinning of the cap layer of GaAs/InGaAs/GaAs (GaAs/AlGaAs/GaAs) heterostructures with near surface quantum wells (QWs) to study dielectric confinement effects [1]. It was shown that this etching p...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 1997-02, Vol.35 (1-4), p.83-86
Hauptverfasser:	Borzenko, T.B., Koval, Y.I., Kulik, L.V., Larionov, A.V.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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