Manganese and silicon activities in liquid carbon‐saturated Mn‐Si‐C alloys

The vapour pressure and activity of manganese were determined by a transportation method for carbon‐saturated Mn‐Si‐C alloys with different Si contents. 108 individual experiments were carried out in a vertical graphite tube furnace, normally at 1500 °C. Modified Gibbs‐Duhem relations were proposed...

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Veröffentlicht in:Steel Research 2002-03, Vol.73 (3), p.77-81
Hauptverfasser: Tang, Kai, Olsø, Vegard, Olsen, Sverre E.
Format: Artikel
Sprache:eng
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creator Tang, Kai
Olsø, Vegard
Olsen, Sverre E.
description The vapour pressure and activity of manganese were determined by a transportation method for carbon‐saturated Mn‐Si‐C alloys with different Si contents. 108 individual experiments were carried out in a vertical graphite tube furnace, normally at 1500 °C. Modified Gibbs‐Duhem relations were proposed to calculate the corresponding silicon activities. The present results agree well with similar studies for carbon‐saturated Mn‐Si‐C alloys. Aktivitäten von Mangan‐ und Silicium in kohlenstoffgesättigten Mn‐Si‐C‐Schmelzen. Der Dampfdruck und die Aktivität von Mangan wurden mit einer Transportmethode für kohlenstoffgesättigte Mn‐Si‐C‐Legierungen mit unterschiedlichem Siliciumgehalt ermittelt. 108 einzelne Experimente wurden in einem vertikalen Graphitofen durchgeführt, normalerweise bei einer Temperatur von 1500 °C. Modifizierte Gibbs‐Duhem‐Beziehungen werden zur Berechnung der entsprechenden Siliciumaktivitäten vorgeschlagen. Die vorliegenden Ergebnisse stimmen gut mit ähnlichen Studien für kohlenstoffgesättigte Mn‐Si‐C‐Legierungen überein.
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Modified Gibbs‐Duhem relations were proposed to calculate the corresponding silicon activities. The present results agree well with similar studies for carbon‐saturated Mn‐Si‐C alloys. Aktivitäten von Mangan‐ und Silicium in kohlenstoffgesättigten Mn‐Si‐C‐Schmelzen. Der Dampfdruck und die Aktivität von Mangan wurden mit einer Transportmethode für kohlenstoffgesättigte Mn‐Si‐C‐Legierungen mit unterschiedlichem Siliciumgehalt ermittelt. 108 einzelne Experimente wurden in einem vertikalen Graphitofen durchgeführt, normalerweise bei einer Temperatur von 1500 °C. Modifizierte Gibbs‐Duhem‐Beziehungen werden zur Berechnung der entsprechenden Siliciumaktivitäten vorgeschlagen. 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