Electrical properties of TiSi sub(2) clusters in poly Si
Clusters of TiSi sub(2) were formed in a polysilicon matrix by thermal annealing of a Ti-Si multilayer structure. The silicide grain size was varied by suitable thermal treatments. The DC electrical resistivity of the composite material has been measured in the 4-500 K temperature range by van der P...
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Veröffentlicht in: | Microelectronic engineering 2002-10, Vol.64 (1-4), p.197-204 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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