Numerical modeling of linear doping profiles for high-voltage thin-film SOI devices

A numerical model for obtaining linear doping profiles in the drift region of high-voltage thin-film SOI devices is proposed and experimentally verified. Breakdown voltage in excess of 612 V on LDMOS transistors with 0.15-/spl mu/m SOI layer, 2-/spl mu/m buried oxide, and 50-/spl mu/m drift region i...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1999-05, Vol.46 (5), p.1036-1041
Hauptverfasser:	Shengdong Zhang, Sin, J.K.O., Lai, T.M.L., Ko, P.K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Breakdown CMOS process Density Devices Doping Doping profiles Drift Electric potential Impurities Mathematical models Numerical models Semiconductor device modeling Semiconductor process modeling Thin film circuits Thin film devices Thin film transistors Thin films Voltage
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