Multiple layers of silicon-on-insulator islands fabrication by selective epitaxial growth

This paper presents for the first time, multiple layers of silicon-on-insulator (MLSOI) device islands fabricated using selective epitaxial growth (SEG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) techniques. MLSOI has the potential for ultra dense device integration. SOI device islands as small as 150 n...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1999-05, Vol.20 (5), p.194-196
Hauptverfasser:	Sangwoo Pae, Taichi Su, Denton, J.P., Neudeck, G.W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Circuit faults Depletion Devices Epitaxial growth Etching Gates Hydrogen Integrated circuit interconnections Islands Leakage MOSFET circuits Optical device fabrication Oxidation Silicon on insulator technology Stacking Stacking faults Swing
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