The physics of determining chip reliability

We have indicated the necessity for using statistical models to determine the reliability of deep-submicron MOSFETs. We have presented a methodology by which the reliability can be determined from short-time tests if the defect generation statistics are linked to variations in defect activation ener...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE circuits and devices magazine 2001-05, Vol.17 (3), p.33-38
Hauptverfasser: Hess, K., Haggag, A., McMahon, W., Cheng, K., Lee, J., Lyding, J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!