The physics of determining chip reliability
We have indicated the necessity for using statistical models to determine the reliability of deep-submicron MOSFETs. We have presented a methodology by which the reliability can be determined from short-time tests if the defect generation statistics are linked to variations in defect activation ener...
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Veröffentlicht in: | IEEE circuits and devices magazine 2001-05, Vol.17 (3), p.33-38 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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