Dislocation core properties in semiconductors
Using ab initio calculations, we computed the core reconstruction energies of {111} 30° partial dislocations in zinc-blende semiconductors. Our results show a direct correlation between core reconstruction energies and the experimental activation energies for the velocity of 60° dislocations. The el...
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Veröffentlicht in: | Solid state communications 2001-06, Vol.118 (12), p.651-655 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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