Dislocation core properties in semiconductors

Using ab initio calculations, we computed the core reconstruction energies of {111} 30° partial dislocations in zinc-blende semiconductors. Our results show a direct correlation between core reconstruction energies and the experimental activation energies for the velocity of 60° dislocations. The el...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Solid state communications 2001-06, Vol.118 (12), p.651-655
Hauptverfasser: Justo, João F, Antonelli, A, Fazzio, A
Format: Artikel
Sprache:eng
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