Quantum wires and dots for optical studies

InGaAs/InP quantum wires with widths down to 10 nm and dots with diameters down to 16 nm have been realized by electron beam lithography and wet chemical etching. Compared to previously investigated dry etching processes optically inactive sidewall layers can be avoided. The luminescence spectra of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 1996, Vol.32 (1), p.317-330
Hauptverfasser:	Forchel, A., Ils, P., Wang, K.H., Schilling, O., Steffen, R., Oshinowo, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electron beam lithography Optical spectroscopy Quantum dots Quantum wires
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!