Temperature investigation of the gate-drain diode of power GaAs MESFET with low-temperature-grown (Al)GaAs passivation

We have investigated the breakdown-temperature characteristics of the gate-drain diode of a GaAs metal semiconductor field-effect transistor with low-temperature-grown (LTG) GaAs/AlGaAs passivation. An anomalous decrease in the breakdown voltage as a function of the temperature is observed. This beh...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 1993-12, Vol.22 (12), p.1503-1505
Hauptverfasser:	Yin, L. -W., Nguyen, N. X., Hwang, Y., Ibbetson, J. P., Kolbas, R. M., Gossard, A. C., Mishra, U. K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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