Non-lattice matched growth of In sub(x)Ga sub(1-x)As (0.53 < x < 0.80) on InP

The linearly-graded low-temperature buffer (LGLTB) approach developed by Harmand et al. (1) for growing materials with lattice parameters different from the substrate was extended to thick layers and minority carrier devices, using In sub(x)Ga sub(1-x)As alloys with x = 0.53 to 0.80 on InP. Structur...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1993-01, Vol.127 (1-4), p.560-565
Hauptverfasser:	Fischer-Colbrie, A, Jacowitz, R D, Ast, D G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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