beta -FeSi sub 2 in (111)Si and in (001)Si formed by ion-beam synthesis

Ion-beam synthesis of beta -FeSi sub 2 is demonstrated both in (111)Si and (001)Si substrates by 450 keV Fe ion implantation at elevated temperatures using a dose of 6x10 exp 17 Fe/cm exp 2 and subsequent annealing at 900 deg C. The structure of the buried layers has been analyzed using Rutherford b...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1993-10, Vol.74 (7), p.4347-4353
Hauptverfasser:	Oostra, D J, Bulle-Lieuwma, C W T, Vandenhoudt, D E W, Felten, F, Jans, J C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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