Epitaxial growth of zincblende MnTe films as a new magneto-optical material
Epitaxial films of MnTe with a zincblende structure have been successfully grown on GaAs (100) and sapphire (0001) substrates using the ionized-cluster beam deposition technique. The values of the lattice constant, 6.34 Å, and the optical band gap, 2.92 eV (300 K), reveal that the MnTe films obtaine...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth 1992-02, Vol.117 (1), p.816-819 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!