Epitaxial growth of zincblende MnTe films as a new magneto-optical material

Epitaxial films of MnTe with a zincblende structure have been successfully grown on GaAs (100) and sapphire (0001) substrates using the ionized-cluster beam deposition technique. The values of the lattice constant, 6.34 Å, and the optical band gap, 2.92 eV (300 K), reveal that the MnTe films obtaine...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 1992-02, Vol.117 (1), p.816-819
Hauptverfasser: Anno, H., Koyanagi, T., Matsubara, K.
Format: Artikel
Sprache:eng
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