Kinetics and uniformity of deposition of borophosphosilicate glass from silane and oxygen in a single-wafer reactor

We have characterized the average rate of deposition and radial variation of film thickness for boron- and phosphorus-doped silica glasses deposited in a prototype single-wafer chemical vapor deposition system, using multifactor experimental designs to elucidate efficiently the effects of various pr...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 1992-09, Vol.139 (9), p.2573-2579
1. Verfasser: DOBKIN, D. M
Format: Artikel
Sprache:eng
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