Thermal emission of semiconductors under nonequilibrium conditions

The thermal emission of semiconductors under the fundamental absorption edge at excitation of nonequilibrium charge carriers in them has been investigated. A broad spectrum of various actions upon a semiconductor—photoexcitation, contact injection, magnetoconcentration effect—has been used for the f...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Infrared physics 1989-05, Vol.29 (2), p.693-700
Hauptverfasser:	Malyutenko, V.K., Liptuga, A.I., Teslenko, G.I., Botte, V.A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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