Semi-insulating polysilicon heterojunctions on silicon

The electrical characteristics of undoped semi-insulating polysilicon (SIPOS)/p-type crystalline silicon (p-Si) and N+-SIPOS/p-Si heterojunctions were investigated. The current-voltage characteristics of the undoped SIPOS/p-Si heterojunctions depart from a hyperbolic sine behavior as the refractive...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronics 1991-11, Vol.22 (7-8), p.47-58
Hauptverfasser:	Ranade, R.M., Ang, S.S., Brown, W.D., Naseem, H.A., Yeargan, J.R., Ulrich, R.K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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