Self‐Powered MXene/GaN van der Waals Heterojunction Ultraviolet Photodiodes with Superhigh Efficiency and Stable Current Outputs

A self‐powered, high‐performance Ti3C2Tx MXene/GaN van der Waals heterojunction (vdWH)‐based ultraviolet (UV) photodiode is reported. Such integration creates a Schottky junction depth that is larger than the UV absorption depth to sufficiently separate the photoinduced electron/hole pairs, boosting...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2021-07, Vol.33 (27), p.e2101059-n/a
Hauptverfasser:	Song, Weidong, Chen, Jiaxin, Li, Ziliang, Fang, Xiaosheng
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Arrays Decay rate Efficiency Energy conversion efficiency Heterojunctions Light Materials science MXene/GaN MXenes Photodiodes Photoelectricity Quantum efficiency self‐powered devices ultraviolet photodiodes Ultraviolet radiation van der Waals heterojunctions
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!