Laser simulation of single-event upset in a p-well CMOS counter

A laser illumination method was used to simulate single-event upset (SEU) in a p-well complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) logic circuit. It was found that, unlike the case of the static random access memory (RAM), the sensitivity of a logic circuit to SEU is not necessarily linearly depen...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on nuclear science 1989-02, Vol.36 (1), p.1330-1332
Hauptverfasser: Mazer, J.A., Kang, K., Buchner, S.
Format: Artikel
Sprache:eng
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