Laser simulation of single-event upset in a p-well CMOS counter
A laser illumination method was used to simulate single-event upset (SEU) in a p-well complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) logic circuit. It was found that, unlike the case of the static random access memory (RAM), the sensitivity of a logic circuit to SEU is not necessarily linearly depen...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on nuclear science 1989-02, Vol.36 (1), p.1330-1332 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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