Si-Ge-metal ternary phase diagram calculations
Solution crystal growth and doping conditions of Si-Ge alloys used for high-temperature thermoelectric generation are determined here. Liquid-phase epitaxy (LPE) has been successfully employed recently to obtain single-crystalline homogeneous layers of Si-Ge solid solutions from a liquid metal solve...
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Veröffentlicht in: | Journal of the Electrochemical Society 1990-09, Vol.137 (9), p.2928-2937 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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