Si-Ge-metal ternary phase diagram calculations

Solution crystal growth and doping conditions of Si-Ge alloys used for high-temperature thermoelectric generation are determined here. Liquid-phase epitaxy (LPE) has been successfully employed recently to obtain single-crystalline homogeneous layers of Si-Ge solid solutions from a liquid metal solve...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 1990-09, Vol.137 (9), p.2928-2937
Hauptverfasser: Fleurial, J. P., Borshchevsky, A.
Format: Artikel
Sprache:eng
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