Refractive index, relaxation times and the viscoelastic model in dry-grown SiO2 films on Si
Inert thermal anneals were performed at various temperatures to determine annealing kinetics of dry thermally grown SiO2 films on Si. Two stages of relaxation are demonstrated. The film relaxes quickly to an intermediate level, and then progresses more slowly toward full relaxation. The relaxation t...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Applied physics letters 1987-11, Vol.51 (18), p.1416-1418 |
---|---|
Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!