Enhancement in the photonic response of ZnO nanorod–gated AlGaN/GaN HEMTs with N2O plasma treatment

We demonstrate an improvement in the photoresponse characteristics of ultraviolet (UV) photodetectors (PDs) using the N 2 O plasma-treated ZnO nanorod (NR) gated AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure. The PDs fabricated with ZnO NRs plasma-treated for 6 min show superior perfo...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2020-09, Vol.28 (19), p.27688-27701
Hauptverfasser:	Khan, Fasihullah, Ajmal, Hafiz Muhammad Salman, Nam, Kiyun, Kim, Sam-Dong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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