Characterization of strained GaInAs/AlInAs quantum well TEGFETS grown by molecular beam epitaxy

Defect free strained layer epitaxy opens possibilities for further improvement on the quantum well two-dimensional electron gas FET (TEGFET) structures grown using the GaInAs/AlInAs on InP materials system. Increased freedom with composition allows for optimizing certain properties of the structure,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1987-02, Vol.81 (1), p.383-390
Hauptverfasser:	Griem, H.T., Hsieh, K.H., D'Haenens, I.J., Delaney, M.J., Henige, J.A., Wicks, G.W., Brown, A.S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!