Electrical properties of n-amorphous/p-crystalline silicon heterojunctions

We have measured C-V characteristics and temperature dependence of J-V characteristics of undoped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) heterojunctions formed on p-type crystalline silicon ( p c-Si) substrates with different resistivities. It has been found that an abrupt heterojunction model is v...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1984-02, Vol.55 (4), p.1012-1019
Hauptverfasser:	MATSUURA, H, OKUNO, T, OKUSHI, H, TANAKA, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!