A comparison between BIMOS device types
This paper deals with the design and comparison of three types of BIMOS transistors (cascade, cascode, and parallel combinations of MOSFET and bipolar transistors). The first section of the paper presents a technique for accurately determining the overall device I-V relations for the cascade (Darlin...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 1986-02, Vol.33 (2), p.286-293 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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