Defect‐Enhanced Polarization Switching in the Improper Ferroelectric LuFeO3
Results of switching behavior of the improper ferroelectric LuFeO3 are presented. Using a model set of films prepared under controlled chemical and growth‐rate conditions, it is shown that defects can reduce the quasi‐static switching voltage by up to 40% in qualitative agreement with first‐principl...
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Veröffentlicht in: | Advanced materials (Weinheim) 2020-06, Vol.32 (23), p.e2000508-n/a |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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