Fixed points for pressure calibration above 100 kbars related to semiconductor-metal transitions

Pressures assigned to the semiconductor-metal transitions in ZnTe, ZnS, GaAs, and GaP have been determined by detecting the electrical resistance change of the semiconductors while the lattice parameter of standard material NaCl was simultaneously measured with x-ray diffraction techniques. A pressu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1980-05, Vol.51 (5), p.2581-2585
Hauptverfasser:	Onodera, Akifumi, Ohtani, Akihito
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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