Electron Spin Resonance of Doped Glow-Discharge Amorphous Silicon
The influence of doping on the ESR spectra of glow‐discharge a‐Si:H is systematically investigated in the X‐ and Q‐band for phosphorus‐ and boron‐doped samples up to a high doping level. Whereas for undoped and moderately doped material the well‐known line with g = 2.0055 is observed, for highly bor...
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| Veröffentlicht in: | Physica Status Solidi (b) 1981-05, Vol.105 (1), p.265-274 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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