Disorder of an AlAs-GaAs superlattice by impurity diffusion

Data are presented showing that Zn diffusion into an AlAs-GaAs superlattice (41 Lz∼45-Å GaAs layers, 40 LB∼150-Å AlAs layers), or into AlxGa1−xAs-GaAs quantum-well heterostructures, increases the Al-Ga interdiffusion at the heterointerfaces and creates, even at low temperature (

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1981-05, Vol.38 (10), p.776-778
Hauptverfasser:	Laidig, W. D., Holonyak, N., Camras, M. D., Hess, K., Coleman, J. J., Dapkus, P. D., Bardeen, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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