Damage‐Free Polishing of Polycrystalline Silicon

The Nalcoag polishing technique for polycrystalline Si resulted in a grain-to-grain surface height variation of delta # < 0.05 mu m. The slope of the surface profile at grain boundaries is very gentle and no @grooving@ at grain boundaries has been observed. These properties are very important for...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1981-01, Vol.128 (1), p.215-218
Hauptverfasser:	Sopori, B. L., Nilsson, T., McClure, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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