Mobility of potassium ions in SiO sub 2
A method to measure the mobility of K sup + ions in SiO sub 2 is proposed, based on the triangular voltage sweep technique at temps. greater than 300 Degrees C.
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| Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1979-01, Vol.50 (7), p.4834-4837 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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