Effect of the Deposition Condition on Properties of a-Si: F: H Films

We prepared a-Si: F: H films from SiF 4 and H 2 mixture gas by three discharging methods (DC, CSDC, and RF). The fluorine concentrations for the DC, CSDC and RF films are 15 at.% 1.5 at.% and 0.5 at.%, respectively. Optical emission spectra from the discharging gas suggest that the kinetics of the c...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 1982-01, Vol.21 (S2), p.193-198
Hauptverfasser:	Uchida, Yoshiyuki, Ichimura, Takeshige, Nabeta, Osamu, Takeda, Yukio, Haruki, Hiromu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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